SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究
宋淑芳; 周生强; 陈维德; 朱建军; 陈长勇; 许振嘉
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:10Pages:2558-2562
Abstract采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%.
metadata_83中国科学院半导体研究所;北京大学技术物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1496207
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17567
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋淑芳,周生强,陈维德,等. 掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究[J]. 物理学报,2003,52(10):2558-2562.
APA 宋淑芳,周生强,陈维德,朱建军,陈长勇,&许振嘉.(2003).掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究.物理学报,52(10),2558-2562.
MLA 宋淑芳,et al."掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究".物理学报 52.10(2003):2558-2562.
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