SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究
罗向东; 边历峰; 徐仲英; 罗海林; 王玉琦; 王建农; 葛惟琨
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:7Pages:1761-1765
Abstract用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.
metadata_83中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究专项基金,国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1496349
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:6[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17565
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗向东,边历峰,徐仲英,等. GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究[J]. 物理学报,2003,52(7):1761-1765.
APA 罗向东.,边历峰.,徐仲英.,罗海林.,王玉琦.,...&葛惟琨.(2003).GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究.物理学报,52(7),1761-1765.
MLA 罗向东,et al."GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究".物理学报 52.7(2003):1761-1765.
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