SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
仇志军; 蒋春萍; 桂永胜; 疏小舟; 郭少令; 褚君浩; 崔利杰; 曾一平; 朱战平; 王保强
2003
Source Publication物理学报
Volume52Issue:11Pages:2879-2882
Abstract在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1496591
Date Available2010-11-23
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Cited Times:5[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17561
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
仇志军,蒋春萍,桂永胜,等. 变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究[J]. 物理学报,2003,52(11):2879-2882.
APA 仇志军.,蒋春萍.,桂永胜.,疏小舟.,郭少令.,...&王保强.(2003).变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究.物理学报,52(11),2879-2882.
MLA 仇志军,et al."变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究".物理学报 52.11(2003):2879-2882.
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