SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构
刘祥林; 董逊; 黎大兵
2004
Source Publication液晶与显示
Volume19Issue:1Pages:5-9
Abstract研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800~880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1497773
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17559
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘祥林,董逊,黎大兵. InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构[J]. 液晶与显示,2004,19(1):5-9.
APA 刘祥林,董逊,&黎大兵.(2004).InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构.液晶与显示,19(1),5-9.
MLA 刘祥林,et al."InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构".液晶与显示 19.1(2004):5-9.
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