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钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器 | |
王海嵩; 杜国同; 崔宏峰; 许呈栋; 宋俊峰; 杜云; 陈弘达; 吴荣汉 | |
2004 | |
Source Publication | 中国激光
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Volume | 31Issue:2Pages:129-132 |
Abstract | 采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW. |
metadata_83 | 吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1511122 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17545 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王海嵩,杜国同,崔宏峰,等. 钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器[J]. 中国激光,2004,31(2):129-132. |
APA | 王海嵩.,杜国同.,崔宏峰.,许呈栋.,宋俊峰.,...&吴荣汉.(2004).钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器.中国激光,31(2),129-132. |
MLA | 王海嵩,et al."钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器".中国激光 31.2(2004):129-132. |
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