SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器
王海嵩; 杜国同; 崔宏峰; 许呈栋; 宋俊峰; 杜云; 陈弘达; 吴荣汉
2004
Source Publication中国激光
Volume31Issue:2Pages:129-132
Abstract采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW.
metadata_83吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1511122
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17545
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王海嵩,杜国同,崔宏峰,等. 钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器[J]. 中国激光,2004,31(2):129-132.
APA 王海嵩.,杜国同.,崔宏峰.,许呈栋.,宋俊峰.,...&吴荣汉.(2004).钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器.中国激光,31(2),129-132.
MLA 王海嵩,et al."钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器".中国激光 31.2(2004):129-132.
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