钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器
	王海嵩; 杜国同; 崔宏峰; 许呈栋; 宋俊峰; 杜云; 陈弘达; 吴荣汉
	2004
Source Publication	中国激光
Volume	31 Issue:2 Pages:129-132
Abstract	采用钨丝做掩模,进行倾斜的离子注入优化电流限制区,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件.该器件的最低阈值电流为1.4 mA,串联电阻约207 Ω, 输出光功率超过1 mW.
metadata_83	吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1511122
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17545
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王海嵩,杜国同,崔宏峰,等. 钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器[J]. 中国激光,2004,31(2):129-132.
APA	王海嵩.,杜国同.,崔宏峰.,许呈栋.,宋俊峰.,...&吴荣汉.(2004).钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器.中国激光,31(2),129-132.
MLA	王海嵩,et al."钨丝掩模二次倾斜离子注入850 nm室温连续垂直腔面发射激光器".中国激光 31.2(2004):129-132.

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