自组装Ge/Si量子点的研究进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	自组装Ge/Si量子点的研究进展
	黄昌俊; 余金中; 王启明
	2004
Source Publication	自然科学进展
Volume	14 Issue:1 Pages:28-33
Abstract	回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金重大项目,国家重点基础研究发展规划项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1568542
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17541
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	黄昌俊,余金中,王启明. 自组装Ge/Si量子点的研究进展[J]. 自然科学进展,2004,14(1):28-33.
APA	黄昌俊,余金中,&王启明.(2004).自组装Ge/Si量子点的研究进展.自然科学进展,14(1),28-33.
MLA	黄昌俊,et al."自组装Ge/Si量子点的研究进展".自然科学进展 14.1(2004):28-33.

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