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自组装Ge/Si量子点的研究进展 | |
黄昌俊; 余金中; 王启明 | |
2004 | |
Source Publication | 自然科学进展
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Volume | 14Issue:1Pages:28-33 |
Abstract | 回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金重大项目,国家重点基础研究发展规划项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1568542 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17541 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄昌俊,余金中,王启明. 自组装Ge/Si量子点的研究进展[J]. 自然科学进展,2004,14(1):28-33. |
APA | 黄昌俊,余金中,&王启明.(2004).自组装Ge/Si量子点的研究进展.自然科学进展,14(1),28-33. |
MLA | 黄昌俊,et al."自组装Ge/Si量子点的研究进展".自然科学进展 14.1(2004):28-33. |
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