VCSEL稳态热特性分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	VCSEL稳态热特性分析
	赵鼎; 林世鸣
	2004
Source Publication	光电子·激光
Volume	15 Issue:1 Pages:21-24
Abstract	使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近.有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1570514
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17539
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	赵鼎,林世鸣. VCSEL稳态热特性分析[J]. 光电子·激光,2004,15(1):21-24.
APA	赵鼎,&林世鸣.(2004).VCSEL稳态热特性分析.光电子·激光,15(1),21-24.
MLA	赵鼎,et al."VCSEL稳态热特性分析".光电子·激光 15.1(2004):21-24.

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