Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
VCSEL稳态热特性分析 | |
赵鼎; 林世鸣 | |
2004 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 15Issue:1Pages:21-24 |
Abstract | 使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近.有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1570514 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17539 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 赵鼎,林世鸣. VCSEL稳态热特性分析[J]. 光电子·激光,2004,15(1):21-24. |
APA | 赵鼎,&林世鸣.(2004).VCSEL稳态热特性分析.光电子·激光,15(1),21-24. |
MLA | 赵鼎,et al."VCSEL稳态热特性分析".光电子·激光 15.1(2004):21-24. |
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