SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁
常凯; 夏建白
2004
Source Publication物理
Volume33Issue:6Pages:414-418
Abstract稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题.稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质,这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划,中国科学院百人计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1589799
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:6[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17509
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
常凯,夏建白. 稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁[J]. 物理,2004,33(6):414-418.
APA 常凯,&夏建白.(2004).稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁.物理,33(6),414-418.
MLA 常凯,et al."稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁".物理 33.6(2004):414-418.
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