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| 稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁 | |
| 常凯; 夏建白 | |
| 2004 | |
| Source Publication | 物理
 |
| Volume | 33Issue:6Pages:414-418 |
| Abstract | 稀磁半导体可能同时利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.尤其是铁磁半导体材料的出现带动了半导体自旋电子学的发展.室温铁磁半导体材料的制备,半导体材料中有效的自旋注入,以及自旋在半导体结构中输运和操作已成为目前半导体自旋电子学领域中的热门课题.稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质,这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划,中国科学院百人计划资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1589799 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17509 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 常凯,夏建白. 稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁[J]. 物理,2004,33(6):414-418. |
| APA | 常凯,&夏建白.(2004).稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁.物理,33(6),414-418. |
| MLA | 常凯,et al."稀磁半导体--自旋和电荷的桥梁".物理 33.6(2004):414-418. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4771.pdf（311KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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