SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ge/Si量子点的生长研究进展
时文华; 李传波; 王启明
2004
Source Publication半导体光电
Volume25Issue:4Pages:247-252
Abstract要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学重点基金资助项目,国家重大基础研究规划(973)资助项目,国家自然科学基金重大基础研究计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1590154
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17507
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
时文华,李传波,王启明. Ge/Si量子点的生长研究进展[J]. 半导体光电,2004,25(4):247-252.
APA 时文华,李传波,&王启明.(2004).Ge/Si量子点的生长研究进展.半导体光电,25(4),247-252.
MLA 时文华,et al."Ge/Si量子点的生长研究进展".半导体光电 25.4(2004):247-252.
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