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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵
作者: 方高瞻;  马骁宇;  王国宏;  谭满清;  蓝永生
发表日期: 2004
摘要: 高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器.报道了17 kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果.为了提高器件的输出功率,一方面采用宽波导量子阱外延结构,降低腔面光功率密度,提高单个激光条的输出功率,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法进行材料生长,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备1 cm激光条,填充密度为80%,单个激光条输出功率达100 W以上;另一方面器件采用高密度叠层封装结构,提高器件的总输出功率,实现了160个激光条叠层封装,条间距0.5 mm.经测试,器件输出功率达17kW,峰值波长为807.6 nm,谱线宽度为4.9 nm.
刊名: 中国激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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方高瞻;马骁宇;王国宏;谭满清;蓝永生.准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵,中国激光,2004,31(6):649-653
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