SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵
方高瞻; 马骁宇; 王国宏; 谭满清; 蓝永生
2004
Source Publication中国激光
Volume31Issue:6Pages:649-653
Abstract高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器.报道了17 kW GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果.为了提高器件的输出功率,一方面采用宽波导量子阱外延结构,降低腔面光功率密度,提高单个激光条的输出功率,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法进行材料生长,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备1 cm激光条,填充密度为80%,单个激光条输出功率达100 W以上;另一方面器件采用高密度叠层封装结构,提高器件的总输出功率,实现了160个激光条叠层封装,条间距0.5 mm.经测试,器件输出功率达17kW,峰值波长为807.6 nm,谱线宽度为4.9 nm.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1590234
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17503
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
方高瞻,马骁宇,王国宏,等. 准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵[J]. 中国激光,2004,31(6):649-653.
APA 方高瞻,马骁宇,王国宏,谭满清,&蓝永生.(2004).准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵.中国激光,31(6),649-653.
MLA 方高瞻,et al."准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵".中国激光 31.6(2004):649-653.
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