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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
作者: 朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
发表日期: 2004
摘要: 利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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朱天伟;徐波;何军;赵凤瑷;张春玲;谢二庆;刘峰奇;王占国.InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究,物理学报,2004,53(1):301-305
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