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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模
作者: 王勇刚;  马骁宇;  张丙元;  陈檬;  李港
发表日期: 2004
摘要: 砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级.依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为4 W的情况下,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150 MHz,锁模脉冲平均输出功率为300 mW,脉冲宽度为10 ps.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王勇刚;马骁宇;张丙元;陈檬;李港.表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模,光电子·激光,2004,15(4):446-448
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