SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模
王勇刚; 马骁宇; 张丙元; 陈檬; 李港
2004
Source Publication光电子·激光
Volume15Issue:4Pages:446-448
Abstract砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级.依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为4 W的情况下,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150 MHz,锁模脉冲平均输出功率为300 mW,脉冲宽度为10 ps.
metadata_83中国科学院半导体研究所;北京工业大学激光工程研究院
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1596552
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17495
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王勇刚,马骁宇,张丙元,等. 表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模[J]. 光电子·激光,2004,15(4):446-448.
APA 王勇刚,马骁宇,张丙元,陈檬,&李港.(2004).表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模.光电子·激光,15(4),446-448.
MLA 王勇刚,et al."表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模".光电子·激光 15.4(2004):446-448.
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