Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 | |
张宝顺; 伍墨; 陈俊; 沈晓明; 冯淦; 刘建平; 史永生; 段丽宏; 朱建军![]() | |
2004 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 25Issue:4Pages:410-414 |
Abstract | 采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7~13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,GaN微裂得以消除.同时研究了AlN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AlN插入层的GaN样品有明显提高. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,NSFC-RGC联合基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1601374 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17489 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张宝顺,伍墨,陈俊,等. Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长[J]. 半导体学报,2004,25(4):410-414. |
APA | 张宝顺.,伍墨.,陈俊.,沈晓明.,冯淦.,...&杨辉.(2004).Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长.半导体学报,25(4),410-414. |
MLA | 张宝顺,et al."Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长".半导体学报 25.4(2004):410-414. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4761.pdf(322KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment