Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

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题名:	Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长
作者:	张宝顺; 伍墨; 陈俊; 沈晓明; 冯淦; 刘建平; 史永生; 段丽宏; 朱建军; 杨辉
发表日期:	2004
摘要:	采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7～13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,GaN微裂得以消除.同时研究了AlN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AlN插入层的GaN样品有明显提高.
刊名:	半导体学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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张宝顺;伍墨;陈俊;沈晓明;冯淦;刘建平;史永生;段丽宏;朱建军;杨辉.Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长,半导体学报,2004,25(4):410-414

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