SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
2004
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume24Issue:2Pages:258-261
Abstract室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析.
metadata_83中国科学院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1603558
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17487
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋书林,陈诺夫,周剑平,等. 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(2):258-261.
APA 宋书林,陈诺夫,周剑平,李艳丽,杨少延,&刘志凯.(2004).低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜.固体电子学研究与进展,24(2),258-261.
MLA 宋书林,et al."低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜".固体电子学研究与进展 24.2(2004):258-261.
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