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SOI CMOS模拟集成电路发展概述 | |
刘忠立 | |
2004 | |
Source Publication | 微电子学
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Volume | 34Issue:4Pages:384-389 |
Abstract | 从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点. |
metadata_83 | 中国科学院,半导体研究所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1605014 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17485 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘忠立. SOI CMOS模拟集成电路发展概述[J]. 微电子学,2004,34(4):384-389. |
APA | 刘忠立.(2004).SOI CMOS模拟集成电路发展概述.微电子学,34(4),384-389. |
MLA | 刘忠立."SOI CMOS模拟集成电路发展概述".微电子学 34.4(2004):384-389. |
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