中国科学院半导体研究所机构知识库(SEMI OpenIR): SOI CMOS模拟集成电路发展概述

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SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前） > 期刊论文

题名:	SOI CMOS模拟集成电路发展概述
作者:	刘忠立
发表日期:	2004
摘要:	从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点.
刊名:	微电子学
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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刘忠立.SOI CMOS模拟集成电路发展概述,微电子学,2004,34(4):384-389

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