SOI CMOS模拟集成电路发展概述

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	SOI CMOS模拟集成电路发展概述
	刘忠立
	2004
Source Publication	微电子学
Volume	34 Issue:4 Pages:384-389
Abstract	从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点.
metadata_83	中国科学院,半导体研究所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1605014
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17485
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘忠立. SOI CMOS模拟集成电路发展概述[J]. 微电子学,2004,34(4):384-389.
APA	刘忠立.(2004).SOI CMOS模拟集成电路发展概述.微电子学,34(4),384-389.
MLA	刘忠立."SOI CMOS模拟集成电路发展概述".微电子学 34.4(2004):384-389.

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