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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching
作者: Xu Yun;  Cao Qing;  Sun Yongwei;  Ye Xiaojun;  Hou Shihua;  Guo Liang;  Chen Lianghui
发表日期: 2004
摘要: High power and high-slope efficiency 650nm band real-refractive-index ridge waveguide AlGaInP laser diodes with compressive strained MQW active layer are formed by pure Ar ion beam etching process.Symmetric laser mesas with high perpendicularity,which are impossible to obtain by traditional wet etching method due to the use of a 15°-misoriented substrate,are obtained by this dry etching method.Laser diodes with 4μm wide,600μm long and 10%/90% coat are fabricated.The typical threshold current of these devices is 46mA at room temperature,and a stable fundamental-mode operation over 40mW is obtained.Very high slope efficiency of 1.4W/A at 10mW and 1.1W/A at 40mW are realized.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu Yun;Cao Qing;Sun Yongwei;Ye Xiaojun;Hou Shihua;Guo Liang;Chen Lianghui.High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching,半导体学报,2004,25(9):1079-1083
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