SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性
王海嵩; 杜国同; 许成栋; 宋俊峰; 唐君; 陈弘达; 刘宇; 祝宁华
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:9Pages:1143-1147
Abstract采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用.
metadata_83吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1608490
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17479
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王海嵩,杜国同,许成栋,等. 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性[J]. 半导体学报,2004,25(9):1143-1147.
APA 王海嵩.,杜国同.,许成栋.,宋俊峰.,唐君.,...&祝宁华.(2004).钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性.半导体学报,25(9),1143-1147.
MLA 王海嵩,et al."钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性".半导体学报 25.9(2004):1143-1147.
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