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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性
作者: 王海嵩;  杜国同;  许成栋;  宋俊峰;  唐君;  陈弘达;  刘宇;  祝宁华
发表日期: 2004
摘要: 采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王海嵩;杜国同;许成栋;宋俊峰;唐君;陈弘达;刘宇;祝宁华.钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性,半导体学报,2004,25(9):1143-1147
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