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| 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性 | |
王海嵩; 杜国同; 许成栋; 宋俊峰; 唐君; 陈弘达; 刘宇 ; 祝宁华
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| 2004 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 25Issue:9Pages:1143-1147 |
| Abstract | 采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用. |
| metadata_83 | 吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1608490 |
| Date Available | 2010-11-23 |
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17479 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王海嵩,杜国同,许成栋,等. 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性[J]. 半导体学报,2004,25(9):1143-1147. |
| APA | 王海嵩.,杜国同.,许成栋.,宋俊峰.,唐君.,...&祝宁华.(2004).钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性.半导体学报,25(9),1143-1147. |
| MLA | 王海嵩,et al."钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性".半导体学报 25.9(2004):1143-1147. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4756.pdf（310KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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