Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性 | |
王海嵩; 杜国同; 许成栋; 宋俊峰; 唐君; 陈弘达; 刘宇![]() | |
2004 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 25Issue:9Pages:1143-1147 |
Abstract | 采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用. |
metadata_83 | 吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1608490 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17479 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王海嵩,杜国同,许成栋,等. 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性[J]. 半导体学报,2004,25(9):1143-1147. |
APA | 王海嵩.,杜国同.,许成栋.,宋俊峰.,唐君.,...&祝宁华.(2004).钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性.半导体学报,25(9),1143-1147. |
MLA | 王海嵩,et al."钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性".半导体学报 25.9(2004):1143-1147. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4756.pdf(310KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment