钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性
	王海嵩; 杜国同; 许成栋; 宋俊峰; 唐君; 陈弘达; 刘宇; 祝宁华
	2004
Source Publication	半导体学报
Volume	25 Issue:9 Pages:1143-1147
Abstract	采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用.
metadata_83	吉林大学电子科学与工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1608490
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:2[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17479
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王海嵩,杜国同,许成栋,等. 钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性[J]. 半导体学报,2004,25(9):1143-1147.
APA	王海嵩.,杜国同.,许成栋.,宋俊峰.,唐君.,...&祝宁华.(2004).钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性.半导体学报,25(9),1143-1147.
MLA	王海嵩,et al."钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性".半导体学报 25.9(2004):1143-1147.

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