钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性

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题名:	钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性
作者:	王海嵩; 杜国同; 许成栋; 宋俊峰; 唐君; 陈弘达; 刘宇; 祝宁华
发表日期:	2004
摘要:	采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带宽最高为4.0GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用.
刊名:	半导体学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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王海嵩;杜国同;许成栋;宋俊峰;唐君;陈弘达;刘宇;祝宁华.钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性,半导体学报,2004,25(9):1143-1147

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