SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究
郜定山; 李建光; 王红杰; 安俊明; 李健; 韩培德; 胡雄伟
2004
Source Publication光学学报
Volume24Issue:9Pages:1279-1282
Abstract用火焰水解和高温烧结的方法在单晶硅基片上制备了厚SiO2和B2O3-P2O5-SiO2光波导包层材料.并用扫描电镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)方法对其微观形貌和物相结构进行了观察和检测.重点对硅基片上沉积厚SiO2时的龟裂和析晶问题进行了深入研究.从扫描电镜照片可以看出,火焰水解法形成的SiO2粉末呈多孔的蜂窝状结构.这种粉末具有很高的比表面积,因而很容易烧结成玻璃.X射线衍射图谱表明,这种粉末是完全非晶态的.经过烧结以后,从扫描电镜照片可以明显看出硅基片上的SiO2薄膜出现龟裂.同时,X射线衍射测试结果表明有少量SiO2析晶.而通过在SiO2中掺入B2O3、P2O5,上述龟裂和析晶完全消失.用这种工艺制备的SiO2波导包层材料厚度达到20 μm以上,表面光滑、没有龟裂,而且是完全玻璃态的,可以用于制备性能优良的各种硅基二氧化硅波导器件.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1609002
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17475
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
郜定山,李建光,王红杰,等. 在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究[J]. 光学学报,2004,24(9):1279-1282.
APA 郜定山.,李建光.,王红杰.,安俊明.,李健.,...&胡雄伟.(2004).在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究.光学学报,24(9),1279-1282.
MLA 郜定山,et al."在硅片上沉积厚二氧化硅的火焰水解法研究".光学学报 24.9(2004):1279-1282.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4754.pdf(210KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[郜定山]'s Articles
[李建光]'s Articles
[王红杰]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[郜定山]'s Articles
[李建光]'s Articles
[王红杰]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[郜定山]'s Articles
[李建光]'s Articles
[王红杰]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.