SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性
康香宁; 陈良惠
2004
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume24Issue:1Pages:50-54
Abstract采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作.但是漂移扩散机制具有明显欧姆性,在利用缓变DBR结构消除异质尖峰势垒之后漂移扩散机制将决定主要的电流输运.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1613675
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17471
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
康香宁,陈良惠. VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(1):50-54.
APA 康香宁,&陈良惠.(2004).VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性.固体电子学研究与进展,24(1),50-54.
MLA 康香宁,et al."VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性".固体电子学研究与进展 24.1(2004):50-54.
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