SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光探测器芯片的高频特性测量
张胜利; 孙建伟; 刘宇; 祝宁华
2004
Source Publication中国激光
Volume31Issue:7Pages:857-860
Abstract为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制,提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法.对于任意电极结构的探测器芯片,首先把芯片与测试夹具连接,通过一系列的校准和测量,可以得到夹具的S参数,进而利用微波理论扣除整个测试夹具的影响,得到探测器芯片的S参数,计算出光探测器的阻抗和频率响应特性.用该方法对P极和N极共面的光探测器芯片的阻抗和频率响应特性进行了测量,并与直接用微波探针测量的结果相比较,验证了该方法在50 MHz~16 GHz的频率范围内的正确性.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家863计划,国家973计划,国家杰出青年基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1616953
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17469
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张胜利,孙建伟,刘宇,等. 光探测器芯片的高频特性测量[J]. 中国激光,2004,31(7):857-860.
APA 张胜利,孙建伟,刘宇,&祝宁华.(2004).光探测器芯片的高频特性测量.中国激光,31(7),857-860.
MLA 张胜利,et al."光探测器芯片的高频特性测量".中国激光 31.7(2004):857-860.
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