SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析
张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
2004
Source Publication空间科学学报
Volume24Issue:6Pages:455-461
Abstract利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长的GaMnSb 晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析,发现空间生长的GaMnSb是多晶结构.对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析,发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因.由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足,使GaSb单晶部分未能熔化,从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家载人航天工程项目,国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1617783
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17467
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张富强,陈诺夫,吴金良,等. 神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析[J]. 空间科学学报,2004,24(6):455-461.
APA 张富强,陈诺夫,吴金良,钟兴儒,&林兰英.(2004).神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析.空间科学学报,24(6),455-461.
MLA 张富强,et al."神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析".空间科学学报 24.6(2004):455-461.
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