SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
刘瑞东; 于丽娟; 芦秀玲; 黄永箴; 张福甲
2004
Source Publication液晶与显示
Volume19Issue:2Pages:87-91
Abstract为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低,在生长过程中有意提高了V/III比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现,表面形貌和光学特性随V/III比和温度的变化非常大。最佳V/IlI比和温度分别为400和625℃。
metadata_83中国科学院半导体研究所;兰州大学物理科学与技术学院
Subject Area光电子学
Funding Organization国家“863”基金项目(2 3AA311 7 ),国家“863”基金项目(2 3AA311 7 ),国家重大基础研究项目(G2 366 6)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1619187
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17465
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘瑞东,于丽娟,芦秀玲,等. (111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性[J]. 液晶与显示,2004,19(2):87-91.
APA 刘瑞东,于丽娟,芦秀玲,黄永箴,&张福甲.(2004).(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性.液晶与显示,19(2),87-91.
MLA 刘瑞东,et al."(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性".液晶与显示 19.2(2004):87-91.
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