SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜
刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
2004
Source Publication稀有金属
Volume28Issue:3Pages:558-562
Abstract利用质量分离的低能离子束技术,获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明,在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化,没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(6 176 1;6 39 72),国家自然科学基金(6 176 1;6 39 72),国家重大基础研究计划资助项目(G2 365,G2 2CB3119 5)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1621420
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17463
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J]. 稀有金属,2004,28(3):558-562.
APA 刘力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.稀有金属,28(3),558-562.
MLA 刘力锋,et al."低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜".稀有金属 28.3(2004):558-562.
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