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低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 | |
刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延![]() | |
2004 | |
Source Publication | 稀有金属
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Volume | 28Issue:3Pages:558-562 |
Abstract | 利用质量分离的低能离子束技术,获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明,在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化,没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金(6 176 1;6 39 72),国家自然科学基金(6 176 1;6 39 72),国家重大基础研究计划资助项目(G2 365,G2 2CB3119 5) |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1621420 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17463 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J]. 稀有金属,2004,28(3):558-562. |
APA | 刘力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.稀有金属,28(3),558-562. |
MLA | 刘力锋,et al."低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜".稀有金属 28.3(2004):558-562. |
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