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| 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 | |
刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延 ; 刘志凯
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| 2004 | |
| Source Publication | 稀有金属
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| Volume | 28Issue:3Pages:558-562 |
| Abstract | 利用质量分离的低能离子束技术，获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明，在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化，没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。 |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金（6 176 1；6 39 72）,国家自然科学基金（6 176 1；6 39 72）,国家重大基础研究计划资助项目（G2 365，G2 2CB3119 5） |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:1621420 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17463 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J]. 稀有金属,2004,28(3):558-562. |
| APA | 刘力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.稀有金属,28(3),558-562. |
| MLA | 刘力锋,et al."低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜".稀有金属 28.3(2004):558-562. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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