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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究
作者: 边历锋;  江德生;  陆书龙
发表日期: 2004
摘要: 分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理,结果发现退火有效地改善材料的发光特性,并且会造成s-型的转变温度降低,从而说明退火可以有效地减少局域态。
刊名: 稀有金属
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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边历锋;江德生;陆书龙.快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究,稀有金属,2004,28(3):582-584
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