SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用
刘超; 李建平; 孙国胜; 曾一平
2004
Source Publication发光学报
Volume25Issue:2Pages:123-127
AbstractZnO是一种重要的功能材料和新型的n一Ⅵ族宽禁带半导体材料。采用溶胶一凝胶(sol-gel)工艺在si(100)、si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性。首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型si(1()o)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率和高空穴迁移率的两种SiC薄膜样品,分析了该薄膜的性能。
metadata_83中国科学院半导体研究所材料中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6 276 45),国家自然科学基金资助项目(6 276 45)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1621532
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17459
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘超,李建平,孙国胜,等. 溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用[J]. 发光学报,2004,25(2):123-127.
APA 刘超,李建平,孙国胜,&曾一平.(2004).溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用.发光学报,25(2),123-127.
MLA 刘超,et al."溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用".发光学报 25.2(2004):123-127.
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