SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体可饱和吸收镜失效分析及改进方法研究
王勇刚; 马骁宇; 冯健; 李伟; 李照银
2004
Source Publication红外与激光工程
Volume33Issue:3Pages:256-259
Abstract介绍了半导体可饱和吸收镜的锁模原理和制作方法,通过分析超短脉冲激光与半导体材料作用原理,阐述了提高半导体可饱和吸收镜抗激光损伤阈值的方法,如吸收区掺杂、退火、扩大低温生长区、表面热沉等。实验中通过退火和镀介质薄膜使半导体可饱和吸收镜由不能工作转为能够工作,并且获得稳定的连续锁模脉冲激光输出。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1623977
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17455
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王勇刚,马骁宇,冯健,等. 半导体可饱和吸收镜失效分析及改进方法研究[J]. 红外与激光工程,2004,33(3):256-259.
APA 王勇刚,马骁宇,冯健,李伟,&李照银.(2004).半导体可饱和吸收镜失效分析及改进方法研究.红外与激光工程,33(3),256-259.
MLA 王勇刚,et al."半导体可饱和吸收镜失效分析及改进方法研究".红外与激光工程 33.3(2004):256-259.
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