SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分
周燕飞; 王锦昌; 唐连安; 陈诺夫; 陈万春
2004
Source Publication无机材料学报
Volume19Issue:2Pages:283-288
Abstract掺Ce:Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为φ10mmx40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体,掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体
metadata_83中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院物理研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1636661
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17443
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周燕飞,王锦昌,唐连安,等. 在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分[J]. 无机材料学报,2004,19(2):283-288.
APA 周燕飞,王锦昌,唐连安,陈诺夫,&陈万春.(2004).在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分.无机材料学报,19(2),283-288.
MLA 周燕飞,et al."在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分".无机材料学报 19.2(2004):283-288.
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