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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分
作者: 周燕飞;  王锦昌;  唐连安;  陈诺夫;  陈万春
发表日期: 2004
摘要: 掺Ce:Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长,得到晶体尺寸为φ10mmx40mm.将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现:空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异.分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱,结果表明:空间生长掺Ce:BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体,掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体
刊名: 无机材料学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周燕飞;王锦昌;唐连安;陈诺夫;陈万春.在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究(II)——空间生长实验部分,无机材料学报,2004,19(2):283-288
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