SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
魏全香; 牛智川
2004
Source Publication半导体光电
Volume25Issue:2Pages:162-164
Abstract研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。
metadata_83山西大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6 176 6,6 2541 ),国家自然科学基金资助项目(6 176 6,6 2541 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1638814
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17439
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
魏全香,牛智川. 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌[J]. 半导体光电,2004,25(2):162-164.
APA 魏全香,&牛智川.(2004).原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌.半导体光电,25(2),162-164.
MLA 魏全香,et al."原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌".半导体光电 25.2(2004):162-164.
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