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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
作者: 魏全香;  牛智川
发表日期: 2004
摘要: 研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。
刊名: 半导体光电
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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魏全香;牛智川.原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌,半导体光电,2004,25(2):162-164
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