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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器
作者: 王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  赵玲娟;  周帆;  田慧良
发表日期: 2004
摘要: 采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入0.20%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).在低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量.制作的半导体光放大器在200 mA的注入电流下,获得了50nm宽的3 dB光带宽和小于0.5dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1.1dB的偏振灵敏度.对于1.55μm波长的信号光,在200 mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1 dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3 dBm的饱和输出功率和大于30 dB的芯片增益.用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率.进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器.
刊名: 中国激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王书荣;王圩;朱洪亮;张瑞英;赵玲娟;周帆;田慧良.高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器,中国激光,2004,31(11):1381-1384
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