SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器
王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 赵玲娟; 周帆; 田慧良
2004
Source Publication中国激光
Volume31Issue:11Pages:1381-1384
Abstract采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入0.20%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA).在低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量.制作的半导体光放大器在200 mA的注入电流下,获得了50nm宽的3 dB光带宽和小于0.5dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1.1dB的偏振灵敏度.对于1.55μm波长的信号光,在200 mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1 dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3 dBm的饱和输出功率和大于30 dB的芯片增益.用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率.进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器.
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家973计划项目,国家自然科学基金重大研究计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1649597
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17431
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王书荣,王圩,朱洪亮,等. 高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器[J]. 中国激光,2004,31(11):1381-1384.
APA 王书荣.,王圩.,朱洪亮.,张瑞英.,赵玲娟.,...&田慧良.(2004).高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器.中国激光,31(11),1381-1384.
MLA 王书荣,et al."高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器".中国激光 31.11(2004):1381-1384.
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