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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征
作者: 谭平恒;  周霞;  杨富华;  Brunner K;  Bougeard D;  Abstreiter G
发表日期: 2004
摘要: 本文详细地研究了原始生长和退火处理后的Si/Ge量子点的拉曼光谱.我们观测到了Si/Ge量子点的一系列本征的拉曼振动模以及Ge-Ge模的LO和TO声子峰间4.2cm-1的频率劈裂.通过这些参数, 我们自洽地确定了原始生长的平面直径为20nm和高为2nm的Si/Ge量子点内Ge的平均组分为80%,平均应变为-3.4%.分析清楚地表明了这种小尺寸的Si/Ge量子点内的应变仍遵从双轴应变,并且应变的释放主要由量子点和Si隔离层间Si-Ge原子互扩散决定.
刊名: 光散射学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
谭平恒;周霞;杨富华;Brunner K;Bougeard D;Abstreiter G.小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征,光散射学报,2004,16(3):203-207
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