SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析
夏君磊; 郜定山; 安俊明; 李健; 吴远大; 胡雄伟
2004
Source Publication光电子·激光
Volume15Issue:6Pages:645-648
Abstract通过耦合模理论分析了马赫-曾德干涉(MzI)型波分复用器各结构参数工艺误差对器件串扰的影响,比较了各结构参数的工艺容差性.结果表明,如果串扰要求在-30 dB以下,则波导臂长差的容差性为1%,耦合长度的容差性为2%,波导宽度的容差性较好;容差达到0.6 μm时,串扰仍然在-58 dB;波导间距对工艺精度要求最高,要求误差小于0.03μm.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究发展规划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1660216
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17423
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏君磊,郜定山,安俊明,等. 马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析[J]. 光电子·激光,2004,15(6):645-648.
APA 夏君磊,郜定山,安俊明,李健,吴远大,&胡雄伟.(2004).马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析.光电子·激光,15(6),645-648.
MLA 夏君磊,et al."马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析".光电子·激光 15.6(2004):645-648.
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