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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1.78 μm Strained InGaAs-InGaAsP-InP Distributed Feedback Quantum Well Lasers
作者: Wang Shurong;  Wang Hui;  Wang Baojun;  Zhu Hongliang;  Zhang Jing;  Ding Ying;  Zhao Lingjuan;  Zhou Fan;  Wang Lufeng;  Wang Wei
发表日期: 2004
摘要: Ridge-waveguide distributed-feedback(DFB) lasers with highly strained InGaAs/InGaAsP active regions,emitting at 1.78 μm were fabricated by low pressure metal-organic vapor phase epitaxy(LP-MOVPE) and tested.The lasers exhibited threshold current of 33 mA for 900 μm long cavities at room temperature.A maximum light output power of 8 mW from one facet and an external differential quantum efficiency of 7% were also obtained.In oddition,the side mode suppression ratio (SMSR) is 27.5 dB.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang Shurong;Wang Hui;Wang Baojun;Zhu Hongliang;Zhang Jing;Ding Ying;Zhao Lingjuan;Zhou Fan;Wang Lufeng;Wang Wei.1.78 μm Strained InGaAs-InGaAsP-InP Distributed Feedback Quantum Well Lasers,光电子·激光,2004,15(8):906-909
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