SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI集成电路的ESD保护技术研究进展
姜凡; 刘忠立
2004
Source Publication微电子学
Volume34Issue:5Pages:497-500,513
Abstract近年来,随着SOI技术的快速发展,SOI集成电路的ESD保护已成为一个主要的可靠性设计问题.介绍了SOI ESD保护器件方面的最新进展,阐述了在SOI ESD保护器件设计和优化中出现的新问题,并进行了详细的讨论.
metadata_83中国科学院,半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1664778
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17417
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姜凡,刘忠立. SOI集成电路的ESD保护技术研究进展[J]. 微电子学,2004,34(5):497-500,513.
APA 姜凡,&刘忠立.(2004).SOI集成电路的ESD保护技术研究进展.微电子学,34(5),497-500,513.
MLA 姜凡,et al."SOI集成电路的ESD保护技术研究进展".微电子学 34.5(2004):497-500,513.
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