SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si/Si直接键合界面性质的研究
陈松岩; 谢生; 何国荣
2004
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume24Issue:3Pages:390-395
Abstract通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度.
metadata_83厦门大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家基金,国家重点基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1669044
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17409
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈松岩,谢生,何国荣. Si/Si直接键合界面性质的研究[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(3):390-395.
APA 陈松岩,谢生,&何国荣.(2004).Si/Si直接键合界面性质的研究.固体电子学研究与进展,24(3),390-395.
MLA 陈松岩,et al."Si/Si直接键合界面性质的研究".固体电子学研究与进展 24.3(2004):390-395.
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