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Si/Si直接键合界面性质的研究 | |
陈松岩; 谢生; 何国荣 | |
2004 | |
Source Publication | 固体电子学研究与进展
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Volume | 24Issue:3Pages:390-395 |
Abstract | 通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度. |
metadata_83 | 厦门大学物理系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家基金,国家重点基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1669044 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17409 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈松岩,谢生,何国荣. Si/Si直接键合界面性质的研究[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(3):390-395. |
APA | 陈松岩,谢生,&何国荣.(2004).Si/Si直接键合界面性质的研究.固体电子学研究与进展,24(3),390-395. |
MLA | 陈松岩,et al."Si/Si直接键合界面性质的研究".固体电子学研究与进展 24.3(2004):390-395. |
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