Si/Si直接键合界面性质的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Si/Si直接键合界面性质的研究
	陈松岩; 谢生; 何国荣
	2004
Source Publication	固体电子学研究与进展
Volume	24 Issue:3 Pages:390-395
Abstract	通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度.
metadata_83	厦门大学物理系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家基金,国家重点基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1669044
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17409
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈松岩,谢生,何国荣. Si/Si直接键合界面性质的研究[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(3):390-395.
APA	陈松岩,谢生,&何国荣.(2004).Si/Si直接键合界面性质的研究.固体电子学研究与进展,24(3),390-395.
MLA	陈松岩,et al."Si/Si直接键合界面性质的研究".固体电子学研究与进展 24.3(2004):390-395.

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