Si/Si直接键合界面性质的研究

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题名:	Si/Si直接键合界面性质的研究
作者:	陈松岩; 谢生; 何国荣
发表日期:	2004
摘要:	通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度.
刊名:	固体电子学研究与进展
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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陈松岩;谢生;何国荣.Si/Si直接键合界面性质的研究,固体电子学研究与进展,2004,24(3):390-395

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