SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化
安俊明; 李健; 郜定山; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
2004
Source Publication半导体光电
Volume25Issue:5Pages:345-348
Abstract对设计的折射率差为0.75%的16×0.8 nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD-BPM)进行了数值模拟和优化.通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5 dB、串扰为-48 dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求.
metadata_83中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1671701
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17405
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
安俊明,李健,郜定山,等. 16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化[J]. 半导体光电,2004,25(5):345-348.
APA 安俊明,李健,郜定山,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2004).16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化.半导体光电,25(5),345-348.
MLA 安俊明,et al."16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化".半导体光电 25.5(2004):345-348.
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