SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光
方再利; 苏付海; 马宝珊; 丁琨; 韩和相; 李国华; 苏萌强; 葛惟锟
2004
Source Publication红外与毫米波学报
Volume23Issue:1Pages:38-42
Abstract研究了4块ZnS∶Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.
metadata_83中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1675488
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17399
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
方再利,苏付海,马宝珊,等. 静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光[J]. 红外与毫米波学报,2004,23(1):38-42.
APA 方再利.,苏付海.,马宝珊.,丁琨.,韩和相.,...&葛惟锟.(2004).静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光.红外与毫米波学报,23(1),38-42.
MLA 方再利,et al."静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光".红外与毫米波学报 23.1(2004):38-42.
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