SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光子存储单元的光伏效应
卞松保; 李桂荣; 唐艳; 胡冰; 李月霞; 杨富华; 郑厚植
2004
Source Publication红外与毫米波学报
Volume23Issue:3Pages:205-207
Abstract报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家重点基础研究计划,国家高技术发展研究计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1676631
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17397
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
卞松保,李桂荣,唐艳,等. 光子存储单元的光伏效应[J]. 红外与毫米波学报,2004,23(3):205-207.
APA 卞松保.,李桂荣.,唐艳.,胡冰.,李月霞.,...&郑厚植.(2004).光子存储单元的光伏效应.红外与毫米波学报,23(3),205-207.
MLA 卞松保,et al."光子存储单元的光伏效应".红外与毫米波学报 23.3(2004):205-207.
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