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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 光子存储单元的光伏效应
作者: 卞松保;  李桂荣;  唐艳;  胡冰;  李月霞;  杨富华;  郑厚植
发表日期: 2004
摘要: 报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映.
刊名: 红外与毫米波学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
卞松保;李桂荣;唐艳;胡冰;李月霞;杨富华;郑厚植.光子存储单元的光伏效应,红外与毫米波学报,2004,23(3):205-207
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