SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究
仇志军; 桂永胜; 崔利杰; 曾一平; 黄志明; 疏小舟; 戴宁; 郭少令; 禇君浩
2004
Source Publication红外与毫米波学报
Volume23Issue:5Pages:329-332
Abstract利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV.此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系.
metadata_83中国科学院上海技术物理所;中国科学院北京半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究项目,国家自然科学基金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1679094
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17393
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
仇志军,桂永胜,崔利杰,等. 掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究[J]. 红外与毫米波学报,2004,23(5):329-332.
APA 仇志军.,桂永胜.,崔利杰.,曾一平.,黄志明.,...&禇君浩.(2004).掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究.红外与毫米波学报,23(5),329-332.
MLA 仇志军,et al."掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究".红外与毫米波学报 23.5(2004):329-332.
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