SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究
张思霞; 孙佳胤; 易万兵; 陈静; 金波; 陈猛; 张正选; 张国强; 王曦
2004
Source Publication功能材料与器件学报
Volume10Issue:4Pages:437-440
Abstract采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.
metadata_83中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1679171
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17391
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张思霞,孙佳胤,易万兵,等. 注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究[J]. 功能材料与器件学报,2004,10(4):437-440.
APA 张思霞.,孙佳胤.,易万兵.,陈静.,金波.,...&王曦.(2004).注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究.功能材料与器件学报,10(4),437-440.
MLA 张思霞,et al."注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究".功能材料与器件学报 10.4(2004):437-440.
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