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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 超薄有源层谐振腔增强型调制器
作者: 杨晓红;  梁琨;  韩勤;  牛智川;  杜云;  吴荣汉
发表日期: 2004
摘要: 提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型(RCE)半导体电吸收调制器件的可能性,并与波导型器件进行性能对比;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构,进行了性能比较,结果表明:在插入损耗相当的情况下,反射式器件具有更高的调制对比度.
刊名: 光子学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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杨晓红;梁琨;韩勤;牛智川;杜云;吴荣汉.超薄有源层谐振腔增强型调制器,光子学报,2004,33(10):1196-1199
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