磁场调制下的双电子量子点qubit

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	磁场调制下的双电子量子点qubit
	陈早生; 孙连亮; 李树深
	2004
Source Publication	半导体学报
Volume	25 Issue:7 Pages:790-793
Abstract	研究了磁场中二维有限深抛物形量子点中双电子在总自旋分别为S＝0或S＝1时的电子态,在有效质量近似下,利用精确的对角化方法计算了系统的能级结构.发现系统的基态总自旋S可以通过改变磁场的大小进行调制,由此可以设计利用S＝0和S＝1两个自旋态组成一个量子比特.
metadata_83	华东交通大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1691206
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17387
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈早生,孙连亮,李树深. 磁场调制下的双电子量子点qubit[J]. 半导体学报,2004,25(7):790-793.
APA	陈早生,孙连亮,&李树深.(2004).磁场调制下的双电子量子点qubit.半导体学报,25(7),790-793.
MLA	陈早生,et al."磁场调制下的双电子量子点qubit".半导体学报 25.7(2004):790-793.

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