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磁场调制下的双电子量子点qubit | |
陈早生; 孙连亮![]() | |
2004 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 25Issue:7Pages:790-793 |
Abstract | 研究了磁场中二维有限深抛物形量子点中双电子在总自旋分别为S=0或S=1时的电子态,在有效质量近似下,利用精确的对角化方法计算了系统的能级结构.发现系统的基态总自旋S可以通过改变磁场的大小进行调制,由此可以设计利用S=0和S=1两个自旋态组成一个量子比特. |
metadata_83 | 华东交通大学物理系;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家重点基础研究专项经费,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1691206 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17387 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈早生,孙连亮,李树深. 磁场调制下的双电子量子点qubit[J]. 半导体学报,2004,25(7):790-793. |
APA | 陈早生,孙连亮,&李树深.(2004).磁场调制下的双电子量子点qubit.半导体学报,25(7),790-793. |
MLA | 陈早生,et al."磁场调制下的双电子量子点qubit".半导体学报 25.7(2004):790-793. |
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