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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备
作者: 易万兵;  陈猛;  张恩霞;  刘相华;  陈静;  董业民;  金波;  刘忠立;  王曦
发表日期: 2004
摘要: 采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen)SOI材料.采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析,发现SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感.并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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易万兵;陈猛;张恩霞;刘相华;陈静;董业民;金波;刘忠立;王曦.具有复合埋层的新型SIMON材料的制备,半导体学报,2004,25(7):814-818
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