SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
具有复合埋层的新型SIMON材料的制备
易万兵; 陈猛; 张恩霞; 刘相华; 陈静; 董业民; 金波; 刘忠立; 王曦
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:7Pages:814-818
Abstract采用氮氧共注入方法制备了新型的SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen)SOI材料.采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析,发现SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感.并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能.
metadata_83中国科学院上海微系统与信息技术研究所;香港中文大学电子工程系;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家杰出青年基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1691328
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17385
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
易万兵,陈猛,张恩霞,等. 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备[J]. 半导体学报,2004,25(7):814-818.
APA 易万兵.,陈猛.,张恩霞.,刘相华.,陈静.,...&王曦.(2004).具有复合埋层的新型SIMON材料的制备.半导体学报,25(7),814-818.
MLA 易万兵,et al."具有复合埋层的新型SIMON材料的制备".半导体学报 25.7(2004):814-818.
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