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双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件 | |
昝育德; 王俊; 李瑞云; 韩秀峰; 王建华; 于芳![]() ![]() | |
2004 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 25Issue:7Pages:824-830 |
Abstract | 报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1691367 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17383 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 昝育德,王俊,李瑞云,等. 双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件[J]. 半导体学报,2004,25(7):824-830. |
APA | 昝育德.,王俊.,李瑞云.,韩秀峰.,王建华.,...&林兰英.(2004).双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件.半导体学报,25(7),824-830. |
MLA | 昝育德,et al."双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件".半导体学报 25.7(2004):824-830. |
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