双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
	昝育德; 王俊; 李瑞云; 韩秀峰; 王建华; 于芳; 刘忠立; 王玉田; 王占国; 林兰英
	2004
Source Publication	半导体学报
Volume	25 Issue:7 Pages:824-830
Abstract	报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1691367
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17383
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	昝育德,王俊,李瑞云,等. 双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件[J]. 半导体学报,2004,25(7):824-830.
APA	昝育德.,王俊.,李瑞云.,韩秀峰.,王建华.,...&林兰英.(2004).双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件.半导体学报,25(7),824-830.
MLA	昝育德,et al."双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件".半导体学报 25.7(2004):824-830.

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