SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析
安俊明; 郜定山; 李健; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:7Pages:858-862
Abstract采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.
metadata_83中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1691486
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17381
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
安俊明,郜定山,李健,等. SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析[J]. 半导体学报,2004,25(7):858-862.
APA 安俊明,郜定山,李健,李建光,王红杰,&胡雄伟.(2004).SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析.半导体学报,25(7),858-862.
MLA 安俊明,et al."SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析".半导体学报 25.7(2004):858-862.
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