SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
突破间接带局限创新Si基激光器
王启明
2004
Source Publication物理
Volume33Issue:5Pages:311-315
AbstractSi基高效发光与受激光发射是Si基光子学突破性发展的关键课题,它的实现对Si基微电子学的发展有深远的重大意义.由于受到天然Si材料间接带能带结构的限制,Si材料的发光效率极低,更谈不上可实现受激光发射,人工改性就成为当代研究、开拓的主要途径.新的Si基直接带体材料(如β-FeSi2等)的探索,Ge/Si量子阱、超晶格、量子点的能带工程介观改性,子带发光跃迁的探索,异类元素插入短周期超晶格中的化学键改性,以及SiO2高浓度nc-Si的生成和高激活度稀土离子的掺入发光等已开展了多途径的研究,不同程度上取得了重要的进展,一种MIS结构电子隧道注入高效发光器件已在SiO2:RE MOS结构中实现.运用激光器件物理的深入设计和新的器件技术的引入,可以预计本世纪初叶,对实现Si基激光器的奢望将会成为现实,无疑它对Si基光子学、Si基集成光电子学乃至信息高科技的发展将作出历史性的巨大贡献.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学重点基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1692397
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17379
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启明. 突破间接带局限创新Si基激光器[J]. 物理,2004,33(5):311-315.
APA 王启明.(2004).突破间接带局限创新Si基激光器.物理,33(5),311-315.
MLA 王启明."突破间接带局限创新Si基激光器".物理 33.5(2004):311-315.
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