SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长
王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:6Pages:678-681
Abstract使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN外延层中的应力及其光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值.研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,中国科学院资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1693244
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17371
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王军喜,王晓亮,刘宏新,等. Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长[J]. 半导体学报,2004,25(6):678-681.
APA 王军喜.,王晓亮.,刘宏新.,胡国新.,李建平.,...&曾一平.(2004).Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长.半导体学报,25(6),678-681.
MLA 王军喜,et al."Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长".半导体学报 25.6(2004):678-681.
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