SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN基肖特基结构紫外探测器
王俊; 赵德刚; 刘宗顺; 伍墨; 金瑞琴; 李娜; 段俐宏; 张书明; 朱建军; 杨辉
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:6Pages:711-714
Abstract在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器.测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线.该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0.42nA,在10V偏压时暗电流为38.5nA.在零偏压下,该紫外探测器在250nm~365nm的波长范围内有较高的响应度,峰值响应度在363nm波长处达到0.12A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边;当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右),探测器的响应度减小了三个数量级以上.该紫外探测器的响应时间小于2μs.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1693358
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17367
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王俊,赵德刚,刘宗顺,等. GaN基肖特基结构紫外探测器[J]. 半导体学报,2004,25(6):711-714.
APA 王俊.,赵德刚.,刘宗顺.,伍墨.,金瑞琴.,...&杨辉.(2004).GaN基肖特基结构紫外探测器.半导体学报,25(6),711-714.
MLA 王俊,et al."GaN基肖特基结构紫外探测器".半导体学报 25.6(2004):711-714.
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