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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响
作者: 康香宁;  宋国峰;  叶晓军;  侯识华;  陈良惠
发表日期: 2004
摘要: 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响,结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-x-As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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康香宁;宋国峰;叶晓军;侯识华;陈良惠.高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响,半导体学报,2004,25(5):589-593
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