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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体
作者: 陈力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
发表日期: 2004
摘要: 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈力锋;陈诺夫;张富强;陈晨龙;李艳丽;杨少延;刘志凯.低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体,半导体学报,2004,25(8):967-971
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