SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体
陈力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
2004
Source Publication半导体学报
Volume25Issue:8Pages:967-971
Abstract利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1701695
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17347
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体[J]. 半导体学报,2004,25(8):967-971.
APA 陈力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体.半导体学报,25(8),967-971.
MLA 陈力锋,et al."低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体".半导体学报 25.8(2004):967-971.
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