低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体
	陈力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
	2004
Source Publication	半导体学报
Volume	25 Issue:8 Pages:967-971
Abstract	利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1701695
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17347
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体[J]. 半导体学报,2004,25(8):967-971.
APA	陈力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体.半导体学报,25(8),967-971.
MLA	陈力锋,et al."低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体".半导体学报 25.8(2004):967-971.

Files in This Item:
File Name/Size	DocType	Version	Access	License
4690.pdf（311KB）			限制开放	--	Application Full Text

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库