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低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体 | |
陈力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延![]() | |
2004 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 25Issue:8Pages:967-971 |
Abstract | 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(AES)对原位注入样品深度分析表明Fe离子浅注入到p型Si单晶衬底,注入深度约为42nm.X射线衍射法(XRD)对热处理样品结构分析发现只有Si衬底的衍射峰,没有其他新相.X射线光电子能谱法(XPS)对热处理样品表面分析发现Fe2p束缚能对应于单质Fe的峰,没有形成Fe的硅化物.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体被制备.电化学C-V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布,发现Fe重掺杂Si致使Si的导电类型从p型转为n型,Si:Fe固溶体和Si衬底形成pn结,具有整流特性. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1701695 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17347 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈力锋,陈诺夫,张富强,等. 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体[J]. 半导体学报,2004,25(8):967-971. |
APA | 陈力锋.,陈诺夫.,张富强.,陈晨龙.,李艳丽.,...&刘志凯.(2004).低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体.半导体学报,25(8),967-971. |
MLA | 陈力锋,et al."低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体".半导体学报 25.8(2004):967-971. |
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