离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
	李艳丽; 陈诺夫; 周剑平; 宋书林; 杨少延; 刘志凯
	2004
Source Publication	半导体学报
Volume	25 Issue:8 Pages:972-975
Abstract	采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的样品中仅存在正交的GdSiz相.样品在氩气氛中350C,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:1701711
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17345
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李艳丽,陈诺夫,周剑平,等. 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜[J]. 半导体学报,2004,25(8):972-975.
APA	李艳丽,陈诺夫,周剑平,宋书林,杨少延,&刘志凯.(2004).离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜.半导体学报,25(8),972-975.
MLA	李艳丽,et al."离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜".半导体学报 25.8(2004):972-975.

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