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离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 | |
李艳丽; 陈诺夫; 周剑平; 宋书林; 杨少延![]() | |
2004 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 25Issue:8Pages:972-975 |
Abstract | 采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的样品中仅存在正交的GdSiz相.样品在氩气氛中350C,30min退火处理后,GdSi2相衍射峰的半高宽变窄,说明经过退火处理,GdSi2的晶体质量变得更好. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家重大基础研究发展规划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:1701711 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17345 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李艳丽,陈诺夫,周剑平,等. 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜[J]. 半导体学报,2004,25(8):972-975. |
APA | 李艳丽,陈诺夫,周剑平,宋书林,杨少延,&刘志凯.(2004).离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜.半导体学报,25(8),972-975. |
MLA | 李艳丽,et al."离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜".半导体学报 25.8(2004):972-975. |
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